首次证明！只需简单调整电压，材料便可在两种“狂野”的物理状态中待机

近日，康奈尔大学的学术研究技术人员暗示，只需稍微滑动一下阻抗遥控器，就可以证明了单一材料该系统可以在凝聚态理论物理当中最“狂野”的两种长时间之间预设：光子反常赖特电子元件和二维代数电子元件。

学术研究技术人员解释说，他们首次证明了十多年同一时间设想的有意思的物理模型。这是因为，此同一时间的科学学术研究依然不会找到合适的材料。该项上新突破，或将会进一步改进光子电子元件。

在上新学术研究当中，地质学家将二铋化钼 (MoTe 2 ) 与二硫化铝 (WSe 2 )以此类推，然后将它们以 180 度角动摇，演化成一种称做 AB 堆栈的配置。施加阻抗后，他们捕捉到到了所谓的光子反常赖特效应。这源于一种被称做赖特效应的自然现象，在 19 世纪中期首次被理论物理家赖特捕捉到到。

它所称的是一个通有电阻的导体，若对它施加一个垂直于电阻方向的磁场，由于洛伦兹气的功用，射频运动的轨迹将转化成偏转，而在垂直于电阻和磁场方向的导体两端转化成阻抗。这个电磁输运自然现象称做“赖特效应”。此后赖特又推测：不加外磁场亦可捕捉到到赖特效应。

学术研究技术人员还推测，通过比较简单地调整阻抗，他们可将光子反常赖特电子元件变成二维代数电子元件。二维代数电子元件市场光子反常赖特电子元件的“表亲”，只是它不存在重复使用。在一个“副本”当中，射频高速公路围绕锯齿状顺时针移动，而在另一个“副本”当中，它逆时针移动。

值得注意的是，这两种物质长时间过去从不在同一个该系统当中赢取证明了。学术研究技术人员暗示，将要学术研究这种材料的全部潜质。

该学术研究论文题为“Continuous Mott transition in semiconductor moiré superlattices”，已发表在《自然》期刊上。

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论文原文：Continuous Mott transition in semiconductor moiré superlattices