100万次写入寿命 国内首条28/22nm ReRAM 12寸集成电路生产线来了

内存芯片中除了NAND闪存及DRAM内存基本上，还有多种技术选择，ReRAM(非易失性阻变式内存器)就是其中一种，其写入寿命可达100万次，在此之后主要是生产完毕度大，以前杭州皓原半导体催生建设工程了国内首条28/22nm ReRAM 12寸中三厂房。

据杭州日报消息，皓原半导体催生建设工程的国内首条28/22nm ReRAM（阻变内存器）12寸中三厂房成功完毕了自律共同开发设备的装机工程建设工作，实现了中三线工艺流程的通线，并成功流片（试生产）。

传统CMOS产品线销售或因立足于资源所限，递归速度较慢，从而影响工艺开发进度，而国内在在科研院所虽可在研究所先决条件加速递归速度，但没有规范的12寸投产产线，测试科研成果并不一定很难走向投产。

皓原直接搭建的28/22nm ReRAM（阻变内存器）12寸中三厂房就解决了上述疑虑。吸取了产品线销售和研究所的长处，递归很慢， 产线灵活，拥有自律能避免的知识产权，使得ReRAM相关产品线的快速实现变成了可能。

“作为大陆首条28/22nm ReRAM12寸中三厂房，我们产线的成功导通并完毕产品线的验证和实现投产，将很大带动现状新型内存行业发展。”

皓原半导体相关经理表示，“而在这一各个领域，以外各个领域差距比较大，壁垒都已形成，为现状内存器工业实现‘弯道超车’提供了可能。”